Модуль Юнга, коэффициент Пуассона. Элементы кристаллографии, Объем и число элементарных ячеек. Тепловые свойства твердых тел, полупроводники.
Изменение температуры плавления \(dT\) при изменении давления на \(dp\) дается уравнением Клаузиуса-Клапейрона
где: \(q_{0}\) – молярная теплота плавления, \(V_{0l}\) – молярный объем жидкости, \(V_{0s}\) – молярный объем твердого тела, \(T\) – термодинамическая температура плавления.
При не очень низких температурах для твердых тел имеет место закон Дюлонга и Пти, согласно которому молярная теплоемкость всех химически простых твердых тел равна приблизительно \(3R\)=25 Дж/(моль∙К).
Количество теплоты \(Q\), переносимое вследствие теплопроводности за время \(Δτ\), определяется формулой
где: \(\Delta T/ \Delta x\) – изменение температуры в направлении \(x\), перпендикулярном к площадке \(ΔS\), \(λ\) – теплопроводность.
При повышении температуры длина твердых тел возрастает в первом приближении линейно с температурой
где: \(l\) – длина тела при температуре \(t\), \(l_{0}\) – его длина при температуре \(t_{0}\)=0 °C, \(a\) – температурный коэффициент линейного расширения. Для твердых изотропных тел \(a=b/3\), где: \(b\) – температурный коэффициент объемного расширения.
В случае деформации продольного растяжения (сжатия) стержня относительное изменение длины стержня по закону Гука
где: \(p_{n}\) – нормальное напряжение, т. е. \(p_{n}=F/S\), где: \(F\) – растягивающая (сжимающая) сила, \(S\) – площадь поперечного сечения. Величина \(E=1/α\) [Па] называется модулем Юнга.
Относительное изменение диаметра стержня при продольном растяжении (сжатии)
Величина \(\sigma=\frac{\beta}{\alpha}=\frac{\Delta d/d}{\Delta l/l}\) называется коэффициентом Пуассона.
Для закручивания стержня (проволоки) на некоторый угол \(\varphi\) необходимо приложить момент пары сил (закручивающий момент)
где: \(l\) – длина проволоки, \(r\) – ее радиус, \(N\) [Па] – модуль сдвига материала проволоки.
Элементы кристаллографии
Объем \(V_{0}\) одного килограмм-моля кристалла
где: \(μ\) – киломоль, \(ρ\) – плотность кристалла.
Объем \(V\) элементарной ячейки кристалла:
- при кубической сингонии
\[V=a^{3},\]
- при гексагональной сингонии
\[V=\frac{\sqrt{3}}{2}a^{2}c,\]
где: \(a\) и \(c\) – параметры ячейки.
Число \(Z_{0}\) элементарных ячеек в одном килограмм-моле кристалла
или
где: \(k\) – число одинаковых атомов в химической формуле соединения, \(N_{A}\) – число Авогадро, \(n\) – число одинаковых атомов, приходящихся на элементарную ячейку.
Число \(Z\) элементарных ячеек в единице объема кристалла
- в общем случае
\[Z=\rho \frac{k}{n}\frac{N_{A}}{nA},\]
- для кристалла, состоящего из одинаковых атомов \((k=1)\)
\[Z=\rho \frac{N_{A}}{nA},\]
где: \(A\) – килограмм-атом.
Параметр кубической решетки
Расстояние \(d\) между соседними атомами в кубической решетке:
- в гранецентрированной
\[d=\frac{a}{\sqrt{2}},\]
- в объемноцентрированной
\[d=\frac{\sqrt{3}}{2}a.\]
Тепловые свойства твердых тел
Энергия одного килограмм-атома химически простых (состоящих из одинаковых атомов) твердых тел в классической теории теплоемкости выражается формулой
где: \(R\) – универсальная газовая постоянная, \(T\) – абсолютная температура.
Теплоемкость одного килограмм-атома химически простых твердых тел определяется по закону Дюлонга и Пти
Для химически сложных тел (состоящих из различных атомов) теплоемкость одного киломоля определяется законом Неймана-Коппа
где: \(n\) – общее число частиц в химической формуле соединения.
Среднее значение \(\left\langle \varepsilon \right\rangle\) энергии квантового осциллятора, приходящегося на одну степень свободы, в квантовой теории Эйнштейна выражается формулой
где: \(ε_{0}\) – нулевая энергия \(\left(\varepsilon_{0}=\frac{1}{2}h\nu\right)\), \(h\) – постоянная Планка, \(ν\) – частота колебаний осциллятора, \(k\) – постоянная Больцмана, \(T\) – абсолютная температура.
Энергия одного килограмм-атома кристалла в квантовой теории теплоемкости определяется как
где: \(E_{0}=\frac{3}{2}R\theta_{E}\) – нулевая энергия килограмм-атома, \( \theta_{E}=\frac{h\nu}{k}\) – характеристическая температура.
Теплоемкость одного килограмм-атома кристалла в квантовом состоянии
Частотный спектр колебаний в теории теплоемкости Дебая задается функцией распределения частот \(g(ν)\). Число \(dZ\) собственных частот твердого тела, приходящихся на интервал частот от \(ν\) до \(ν+dν\)
Для трехмерного кристалла, содержащего \(N\) атомов
где: \(ν_{max}\) – максимальная частота, ограничивающая спектр колебаний.
Энергия твердого тела
Энергия одного килограмм-атома кристалла по Дебаю
где: \(E_{0}=\frac{9}{8}R\theta_{D}\) – нулевая энергия одного килограмм-атома кристалла по Дебаю, \(\theta_{D}=\frac{h\nu_{max}}{k}\) – характеристическая температура Дебая.
Теплоемкость одного килограмм-атома кристалла по Дебаю
Энергия фонона связана с частотой \(ν\) колебаний
Квазиимпульс фонона
где: \(\lambda\) – длина волны, \(\hbar=\frac{h}{2\pi}\), \(k=\frac{2\pi}{\lambda}\) – волновое число.
Скорость фонона (групповая)
Фазовая скорость фонона: \(u_{f}=\frac{\nu}{k}.\)
Скорости волн в кристалле:
- продольных – \(v_{l}=\sqrt{\frac{E}{\rho}},\)
- поперечных – \(v_{t}=\sqrt{\frac{G}{\rho}},\)
где: \(E\) – модуль продольной упругости, \(G\) – модуль продольной упругости, \(\rho\) – плотность твердого тела.
Усредненное значение скорости звука определяется формулой
Теплота, перенесенная через поверхность площадью \(S\), перпендикулярную направлению теплового потока за время \(dt\), определяется законом Фурье
где: \(\varkappa\) – коэффициент теплопроводности, \(\frac{dT}{dx}\) – проекция градиента температуры.
Коэффициент теплопроводности \(\varkappa\) связан с удельной теплоемкостью (на единицу объема) \(\tilde{c}\), скоростью звука \(v\) и средней длиной свободного пробега фононов \(λ\)
Линейный коэффициент теплового расширения по определению
Плотность тока насыщения при термоэлектронной эмиссии с катода дается формулой Ричардсона-Дэшмана
где: \(B=120\left(1-R\right)\) [A/(см2∙К2)], \(R\) – коэффициент отражения электронов проводимости от потенциального барьера на поверхности эмиттера, \(A\) – работа выхода электронов с поверхности катода.
Полупроводники
Удельная проводимость \(σ\) собственных проводников
где: \(e\) – заряд электрона, \(n\) – концентрация носителей тока, \(u_{n}\) и \(u_{p}\) – подвижность электронов и дырок.
Напряжение \(U_{X}\) на гранях образца при эффекте Холла
где: \(R_{X}\) – постоянная Холла, \(B\) – индукция магнитного поля, \(b\) – ширина пластины, \(j\) – плотность тока.
Постоянная Холла для полупроводников типа алмаз, кремний, германий и др., обладающих носителями тока одного вида